英諾賽科勝訴：ITC 終裁確認可繼續在美進口和銷售 GaN 功率器件，不受英飛凌無理訴訟影響

2026 年 5 月 8 日 —— 英諾賽科今日宣布，美國國際貿易委員會（“ITC”）在第 337?TA?1414 號調查中作出最終裁定，確認英諾賽科當前的氮化鎵（“GaN”）功率器件產品未侵犯英飛凌的相關專利，并可不受限制地繼續在美國進口和銷售。

ITC 全體委員一致同意英諾賽科現有產品未侵犯英飛凌美國第 9,070,755 號專利（涉及電極設計）和第 9,899,481 號專利（涉及封裝設計）。

委員會僅認定 ’481 專利中的兩項權利要求有效且僅被英諾賽科已停止生產和銷售的歷史產品侵權。因此，相關的進口和銷售禁令對英諾賽科在美國的現有業務不具有實質影響。英諾賽科將繼續不間斷地向美國及全球客戶供應其現有的 GaN 功率產品。

ITC 的最終裁定確認，英諾賽科的產品源于獨立自主的技術創新，并徹底挫敗了英飛凌試圖通過缺乏根據的訴訟手段限制合法競爭的企圖。功率半導體行業的未來應由更優異的產品所塑造，而非毫無根據的訴訟伎倆。