挑戰HBM主流地位！英特爾押注ZAM內存技術

英特爾Z-Angle Memory（ZAM）技術已接近研發完成，正全力投入AI市場浪潮，試圖挑戰HBM作為高帶寬內存主流方案的地位。

作為高帶寬、大容量市場的重要創新，ZAM正在內存行業引發高度關注。這項技術由英特爾與軟銀（SoftBank）共同開發，目標是提供低功耗、高密度的解決方案，以取代HBM。

根據最新信息，ZAM內存的帶寬預計將達到HBM4的兩倍，并可與下一代HBM4E相媲美。ZAM預計將在2028年至2030年間進入量產階段。在2026年VLSI研討會上，預計英特爾與軟銀旗下子公司Saimemory將進一步披露相關細節。

在架構設計上，ZAM采用9層堆疊設計，其中單一堆疊包含8層DRAM，每兩層DRAM之間僅由3微米厚的硅基板隔開，并由主基板上的單一邏輯控制器（Logic Controller）統一管理。該技術包含三層硅通孔（TSV）結構，每層通過混合鍵合（Hybrid Bonding）設置1.37萬個互連路徑。

在容量與性能方面，ZAM每層提供1.125GB容量，使單一堆疊達到10GB，整體封裝可達30GB。

盡管HBM目前仍是AI加速器與GPU的主流內存方案，但隨著規格提升，已面臨發熱與功耗等結構性挑戰。ZAM則針對高密度、高帶寬與低功耗進行了優化，其垂直結構有助于散熱，避免了傳統布線層造成的熱堆積問題。

ZAM的主要優勢包括：

極高帶寬密度：約0.25 Tb/s/mm2，顯著高于HBM。

更低功耗：針對數據傳輸能耗進行了優化。

更佳散熱管理：垂直架構有效降低熱量積累。

更高堆疊潛力：支持9層以上堆疊，采用3μm超薄硅基板。

先進互連技術：包含磁場耦合無線I/O與混合鍵合。

AI工作負載優化：專為打破生成式AI的內存瓶頸而設計。

ZAM的最終目標是通過3.5D封裝技術實現高密度3D內存集成，將高帶寬大容量內存、電源與接地軌（Power/Ground rails）、硅光子（Silicon Photonics）及傳統I/O集成于單一基板上。