GaN快充市場賽道提速，SRII交付半導體晶圓設(shè)備助力中國產(chǎn)能擴充
隨著蘋果公司正式推出140W氮化鎵（GaN）快充，以智能手機、筆記本電腦為代表的消費電子快充市場迎來了又一標桿性產(chǎn)品的重要拐點。近兩年來，全球GaN充電器的出貨量已經(jīng)突破了數(shù)千萬只。然而，這僅僅只是開端。
Yole Développement的最新調(diào)研報告顯示，預計2026年全球GaN功率器件的市場規(guī)模達到11億美元；在2020-2026年期間，該市場的年復合增長率將達到70%，其中消費類市場是主要驅(qū)動力。為了適應(yīng)GaN功率器件的大規(guī)模量產(chǎn)需求，除了襯底外延等相關(guān)制造設(shè)備之外，針對功率器件關(guān)鍵工序的沉積鍍膜設(shè)備也迎來了更龐大的市場需求以及量產(chǎn)化的全新挑戰(zhàn)。
Yole Développement針對GaN功率器件的市場預測
把握氮化鎵市場拐點，SRII量產(chǎn)型ALD設(shè)備拓展中國第三代半導體龍頭客戶
對于GaN功率器件的制造商而言，擴充產(chǎn)能是當前的重中之重。對此，思銳智能推出了業(yè)界領(lǐng)先的量產(chǎn)型ALD沉積設(shè)備——Beneq Transform?系列，憑借成熟、穩(wěn)定的多片沉積工藝，能夠為高端應(yīng)用的行業(yè)客戶提供卓越的沉積鍍膜生產(chǎn)效率，以及傳統(tǒng)工藝無法企及的鍍膜均勻性、納米級膜厚精準控制等優(yōu)勢，進而助力產(chǎn)能擴充的需求。
事實上，思銳智能近期成功交付了一套最新的Beneq Transform? Lite設(shè)備，幫助中國市場的第三代半導體龍頭客戶加速其GaN產(chǎn)線的擴充。“客戶的產(chǎn)線正處于中試到相當規(guī)模量產(chǎn)的切入點，”思銳智能團隊說，“我們擁有非常豐富的沉積工藝經(jīng)驗，在與客戶進行技術(shù)對接之后，Transform?Lite設(shè)備的技術(shù)先進性與量產(chǎn)化優(yōu)勢迅速獲得了客戶的認可，這很激動人心！接下來，我們將幫助客戶完成沉積工藝延伸產(chǎn)線的搭建以及相關(guān)的量產(chǎn)調(diào)試。“
Beneq TransformTM Lite設(shè)備進場照片
以ALD工藝打破應(yīng)用邊界，TransformTM獨創(chuàng)技術(shù)加速超摩爾應(yīng)用產(chǎn)能提升
盡管ALD鍍膜工藝對于GaN功率器件的性能提升有著顯著的增益，但其實ALD技術(shù)在GaN射頻器件、光器件以及MEMS等超摩爾應(yīng)用領(lǐng)域中同樣能夠“大展拳腳”。ALD本身屬于通用型技術(shù)，其低溫沉積特性、保形性以及均勻性十分優(yōu)異，相較傳統(tǒng)的鍍膜工藝如CVD、PVD等具備獨特的優(yōu)勢。
思銳智能旗下Beneq品牌推出的Transform?系列設(shè)備，在掌握ALD技術(shù)的基礎(chǔ)優(yōu)勢之外，運用靈活的工程思維，率先加入了預加熱技術(shù)。由于增加了預加熱模塊，ALD設(shè)備的常規(guī)升溫時間顯著縮短。并且熱法工藝與等離子工藝可在同一個腔體中實現(xiàn)，反應(yīng)腔可容納的晶圓數(shù)量也提升至25片。這樣整體計算下來，產(chǎn)能的增長超過了50%。這對于量產(chǎn)階段的客戶具有非常大的優(yōu)勢。自此，業(yè)界對于ALD沉積速率偏慢的刻板印象已經(jīng)被打破！
通過加入預加熱模塊，可有效減少升溫時間
目前，Transform?系列設(shè)備最高可支持8”晶圓的沉積鍍膜需求，并向下兼容3”、4”以及6”等不同晶圓尺寸的產(chǎn)品。預計明年，思銳智能將會進一步豐富產(chǎn)品線，不斷拓展應(yīng)用領(lǐng)域，為客戶提供創(chuàng)新、靈活、多樣化的一站式ALD解決方案。
