意法半導體推出全新G-HEMT系列GaN功率半導體產品

意法半導體（ST）昨日宣布G-HEMT系列首款GaN 功率半導體產品（PowerGaN），能大幅降低各種電子產品的能量消耗并縮小尺寸；可用于充電器、PC 外接電源適配器、LED 照明驅動器、電視機等。不僅如此，該產品亦能用于高功率市場，像是工業驅動馬達、太陽能逆變器、電動汽車及充電器等。

ST 表示，全球消費性電子產品的產量很大，若提升效能便可大幅減少二氧化碳排放。而氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶化合物半導體材料，其電壓耐受能力優于傳統硅材料，且不會影響導通電阻效能，故可降低開關損耗。此外，GaN 產品的開關效能也比傳統的硅基產品的效能高，開關頻率也可以更高，故應用電路可采用尺寸更小的被動元件。

ST 指出，上述所有優勢讓設計人員得以減少功率轉換器的總損耗（減少產生的熱）并提升效能。因此，GaN 可讓電子產品小型化，例如，采用GaN 的PC 電源適配器比當今普及的充電器尺寸更小而且重量更輕。根據相關廠商的預測，使用GaN 元件后，標準的手機充電器可縮小高達40%，或于相同尺寸條件下可以輸出更高的功率。

為此，ST 推出新G-HEMT 產品家族首款產品（650V SGT120R65A），其具有120m? 最大導通電阻（Rds(on)）、15A 的最大輸出電流和優化閘極驅動的開爾文接法腳位。

意法半導體汽車和離散元件產品部副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo Merli 表示，商用GaN 產品是功率半導體的下一個戰場，而ST 推出隸屬STPOWER 產品組合之新系列的首款產品，為消費、工業和汽車電源應用帶來突破性的效能表現。未來ST 將逐步擴大PowerGaN 產品組合，讓全球客戶都能設計出更高效、更小巧的電源。